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Artigo de periodico
Thermoluminescence dating of Brazilian indigenous ceramics (2009)
Farias, Thiago Michel de Brito; Gennari, Roseli Fernandes; Etchevarne, C; Watanabe, S.
Source: Radiation Protection Dosimetry. Unidade: IF
Subjects: TERMOLUMINESCÊNCIA, DATAÇÃO ARQUEOLÓGICA, CERÂMICA INDÍGENA
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FARIAS, Thiago Michel de Brito et al. Thermoluminescence dating of Brazilian indigenous ceramics. Radiation Protection Dosimetry, v. 136, n. 1, p. 45-49, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1093/rpd/ncp133. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Farias, T. M. de B., Gennari, R. F., Etchevarne, C., & Watanabe, S. (2009). Thermoluminescence dating of Brazilian indigenous ceramics. Radiation Protection Dosimetry, 136( 1), 45-49. doi:10.1093/rpd/ncp133
NLM
Farias TM de B, Gennari RF, Etchevarne C, Watanabe S. Thermoluminescence dating of Brazilian indigenous ceramics [Internet]. Radiation Protection Dosimetry. 2009 ; 136( 1): 45-49.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1093/rpd/ncp133
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Farias TM de B, Gennari RF, Etchevarne C, Watanabe S. Thermoluminescence dating of Brazilian indigenous ceramics [Internet]. Radiation Protection Dosimetry. 2009 ; 136( 1): 45-49.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1093/rpd/ncp133
Artigo de periodico
Remarks on disorder and aperiodicity in a model for interacting polymers (2004)
Haddad, T A S; Andrade, R F S; Salinas, S. R.
Source: Physica A. Unidade: IF
Subjects: MECÂNICA ESTATÍSTICA, VIDRO, MODELO DE ISING
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HADDAD, T A S e ANDRADE, R F S e SALINAS, S. R. Remarks on disorder and aperiodicity in a model for interacting polymers. Physica A, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physa.2004.06.022. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Haddad, T. A. S., Andrade, R. F. S., & Salinas, S. R. (2004). Remarks on disorder and aperiodicity in a model for interacting polymers. Physica A. doi:10.1016/j.physa.2004.06.022
NLM
Haddad TAS, Andrade RFS, Salinas SR. Remarks on disorder and aperiodicity in a model for interacting polymers [Internet]. Physica A. 2004 ;[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physa.2004.06.022
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Haddad TAS, Andrade RFS, Salinas SR. Remarks on disorder and aperiodicity in a model for interacting polymers [Internet]. Physica A. 2004 ;[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physa.2004.06.022
Artigo de periodico
The branching rate of the random Olami-Feder-Christensen model with a generic coordination number (2003)
Pinho, Suani Tavares Rubim de; Prado, Carmen Pimentel Cintra do
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA ESTATÍSTICA
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PINHO, Suani Tavares Rubim de e PRADO, Carmen Pimentel Cintra do. The branching rate of the random Olami-Feder-Christensen model with a generic coordination number. Brazilian Journal of Physics, v. 33, n. 3, p. 476-486, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332003000300009. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Pinho, S. T. R. de, & Prado, C. P. C. do. (2003). The branching rate of the random Olami-Feder-Christensen model with a generic coordination number. Brazilian Journal of Physics, 33( 3), 476-486. doi:10.1590/s0103-97332003000300009
NLM
Pinho STR de, Prado CPC do. The branching rate of the random Olami-Feder-Christensen model with a generic coordination number [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2003 ; 33( 3): 476-486.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332003000300009
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Pinho STR de, Prado CPC do. The branching rate of the random Olami-Feder-Christensen model with a generic coordination number [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2003 ; 33( 3): 476-486.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332003000300009
Artigo de periodico
Time fluctuations of the random average process with parabolic initial conditions (2003)
Fontes, Luiz Renato ; Medeiros, Deborah Pereira de; Vachkovskaia, Marina
Source: Stochastic Processes and their Applications. Unidade: IME
Assunto: PROCESSOS ESTOCÁSTICOS
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FONTES, Luiz Renato e MEDEIROS, Deborah Pereira de e VACHKOVSKAIA, Marina. Time fluctuations of the random average process with parabolic initial conditions. Stochastic Processes and their Applications, v. 103, n. 2, p. 257-276, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0304-4149(02)00210-7. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Fontes, L. R., Medeiros, D. P. de, & Vachkovskaia, M. (2003). Time fluctuations of the random average process with parabolic initial conditions. Stochastic Processes and their Applications, 103( 2), 257-276. doi:10.1016/s0304-4149(02)00210-7
NLM
Fontes LR, Medeiros DP de, Vachkovskaia M. Time fluctuations of the random average process with parabolic initial conditions [Internet]. Stochastic Processes and their Applications. 2003 ; 103( 2): 257-276.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0304-4149(02)00210-7
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Fontes LR, Medeiros DP de, Vachkovskaia M. Time fluctuations of the random average process with parabolic initial conditions [Internet]. Stochastic Processes and their Applications. 2003 ; 103( 2): 257-276.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0304-4149(02)00210-7
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
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Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
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Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 maio 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Bartlett-type corrections for two-parameter exponential family models (2002)
Ferrari, Sílvia Lopes de Paula ; Uribe-Opazo, Miguel Angel; Cordeiro, Gauss Moutinho
Source: Communications in Statistics. Theory and Methods. Unidade: IME
Assunto: INFERÊNCIA ESTATÍSTICA
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FERRARI, Sílvia Lopes de Paula e URIBE-OPAZO, Miguel Angel e CORDEIRO, Gauss Moutinho. Bartlett-type corrections for two-parameter exponential family models. Communications in Statistics. Theory and Methods, v. 31, n. 6, p. 901-924, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1081/STA-120004189. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Ferrari, S. L. de P., Uribe-Opazo, M. A., & Cordeiro, G. M. (2002). Bartlett-type corrections for two-parameter exponential family models. Communications in Statistics. Theory and Methods, 31( 6), 901-924. doi:10.1081/STA-120004189
NLM
Ferrari SL de P, Uribe-Opazo MA, Cordeiro GM. Bartlett-type corrections for two-parameter exponential family models [Internet]. Communications in Statistics. Theory and Methods. 2002 ; 31( 6): 901-924.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1081/STA-120004189
Vancouver
Ferrari SL de P, Uribe-Opazo MA, Cordeiro GM. Bartlett-type corrections for two-parameter exponential family models [Internet]. Communications in Statistics. Theory and Methods. 2002 ; 31( 6): 901-924.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1081/STA-120004189
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Artigo de periodico
Second-order asymptotics for score tests in heteroscedastic t regression models (2002)
Barroso, Lúcia Pereira; Cordeiro, Gauss Moutinho; Vasconcellos, Klaus Leite Pinto
Source: Communications in Statistics. Theory and Methods. Unidade: IME
Assunto: MODELOS LINEARES GENERALIZADOS
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ABNT
BARROSO, Lúcia Pereira e CORDEIRO, Gauss Moutinho e VASCONCELLOS, Klaus Leite Pinto. Second-order asymptotics for score tests in heteroscedastic t regression models. Communications in Statistics. Theory and Methods, v. 31, n. 9, p. 1515-1529, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1081/STA-120013009. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Barroso, L. P., Cordeiro, G. M., & Vasconcellos, K. L. P. (2002). Second-order asymptotics for score tests in heteroscedastic t regression models. Communications in Statistics. Theory and Methods, 31( 9), 1515-1529. doi:10.1081/STA-120013009
NLM
Barroso LP, Cordeiro GM, Vasconcellos KLP. Second-order asymptotics for score tests in heteroscedastic t regression models [Internet]. Communications in Statistics. Theory and Methods. 2002 ; 31( 9): 1515-1529.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1081/STA-120013009
Vancouver
Barroso LP, Cordeiro GM, Vasconcellos KLP. Second-order asymptotics for score tests in heteroscedastic t regression models [Internet]. Communications in Statistics. Theory and Methods. 2002 ; 31( 9): 1515-1529.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1081/STA-120013009
Artigo de periodico
Improved score tests for von Mises regression models (2001)
Barroso, Lúcia Pereira; Cordeiro, Gauss Moutinho ; Vasconcellos, Klaus Leite Pinto
Source: Communications in Statistics - Theory and Methods. Unidade: IME
Assunto: ANÁLISE DE REGRESSÃO E DE CORRELAÇÃO
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ABNT
BARROSO, Lúcia Pereira e CORDEIRO, Gauss Moutinho e VASCONCELLOS, Klaus Leite Pinto. Improved score tests for von Mises regression models. Communications in Statistics - Theory and Methods, v. 30, n. 7, p. 1295-1315, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1081/STA-100104746. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Barroso, L. P., Cordeiro, G. M., & Vasconcellos, K. L. P. (2001). Improved score tests for von Mises regression models. Communications in Statistics - Theory and Methods, 30( 7), 1295-1315. doi:10.1081/STA-100104746
NLM
Barroso LP, Cordeiro GM, Vasconcellos KLP. Improved score tests for von Mises regression models [Internet]. Communications in Statistics - Theory and Methods. 2001 ; 30( 7): 1295-1315.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1081/STA-100104746
Vancouver
Barroso LP, Cordeiro GM, Vasconcellos KLP. Improved score tests for von Mises regression models [Internet]. Communications in Statistics - Theory and Methods. 2001 ; 30( 7): 1295-1315.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1081/STA-100104746
Artigo de periodico
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems (2001)
Fernandez, J R L; Araujo, C Moyses; Silva, A Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E; Tabata, A; Abramog, E; Chitta, V A; Persson, C; Ahuja, R; Pepe, I; As, D J; Frey, T; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIELÉTRICOS, RESISTÊNCIA ELÉTRICA, MATERIAIS (ANÁLISE;TESTES), RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Araujo, C. M., Silva, A. F. da, Leite, J. R., Sernelius, B. E., Tabata, A., et al. (2001). Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, 231( 3), 420-427. doi:10.1016/s0022-0248(01)01473-7
NLM
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Vancouver
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Artigo de periodico
Second-order biases of maximum likelihood estimates in overdispersed generalized linear models (2001)
Cordeiro, Gauss Moutinho ; Botter, Denise Aparecida
Source: Statistics and Probability Letters. Unidade: IME
Assunto: MODELOS LINEARES GENERALIZADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORDEIRO, Gauss Moutinho e BOTTER, Denise Aparecida. Second-order biases of maximum likelihood estimates in overdispersed generalized linear models. Statistics and Probability Letters, v. 55, n. 3, p. 269-280, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-7152(01)00150-x. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Cordeiro, G. M., & Botter, D. A. (2001). Second-order biases of maximum likelihood estimates in overdispersed generalized linear models. Statistics and Probability Letters, 55( 3), 269-280. doi:10.1016/s0167-7152(01)00150-x
NLM
Cordeiro GM, Botter DA. Second-order biases of maximum likelihood estimates in overdispersed generalized linear models [Internet]. Statistics and Probability Letters. 2001 ; 55( 3): 269-280.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-7152(01)00150-x
Vancouver
Cordeiro GM, Botter DA. Second-order biases of maximum likelihood estimates in overdispersed generalized linear models [Internet]. Statistics and Probability Letters. 2001 ; 55( 3): 269-280.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-7152(01)00150-x
Artigo de periodico
Relativistic scalar Aharonov-Bohm scattering (2000)
Gomes, Marcelo Otavio Caminha; Malbouisson, J M C; Silva, Adílson José da
Source: Journal of Physics A-Mathematical and General. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Marcelo Otavio Caminha e MALBOUISSON, J M C e SILVA, Adílson José da. Relativistic scalar Aharonov-Bohm scattering. Journal of Physics A-Mathematical and General, v. 33, n. 31, p. 5521-5529, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0305-4470/33/31/307. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Gomes, M. O. C., Malbouisson, J. M. C., & Silva, A. J. da. (2000). Relativistic scalar Aharonov-Bohm scattering. Journal of Physics A-Mathematical and General, 33( 31), 5521-5529. doi:10.1088/0305-4470/33/31/307
NLM
Gomes MOC, Malbouisson JMC, Silva AJ da. Relativistic scalar Aharonov-Bohm scattering [Internet]. Journal of Physics A-Mathematical and General. 2000 ; 33( 31): 5521-5529.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0305-4470/33/31/307
Vancouver
Gomes MOC, Malbouisson JMC, Silva AJ da. Relativistic scalar Aharonov-Bohm scattering [Internet]. Journal of Physics A-Mathematical and General. 2000 ; 33( 31): 5521-5529.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0305-4470/33/31/307
Artigo de periodico
Polarization effects on peptide conformations at water-membrane interface by molecular dynamics simulations (1999)
Pascutti, Pedro Geraldo; Mundim, Kleber C.; Ito, Amando S.; Bisch, Paulo M.
Source: Journal of Computational Chemistry. Unidade: IF
Assunto: QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PASCUTTI, Pedro Geraldo et al. Polarization effects on peptide conformations at water-membrane interface by molecular dynamics simulations. Journal of Computational Chemistry, v. 20, n. 9, p. 971-982, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1096-987x(19990715)20:9%3C971::aid-jcc8%3E3.0.co;2-0. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Pascutti, P. G., Mundim, K. C., Ito, A. S., & Bisch, P. M. (1999). Polarization effects on peptide conformations at water-membrane interface by molecular dynamics simulations. Journal of Computational Chemistry, 20( 9), 971-982. doi:10.1002/(sici)1096-987x(19990715)20:9%3C971::aid-jcc8%3E3.0.co;2-0
NLM
Pascutti PG, Mundim KC, Ito AS, Bisch PM. Polarization effects on peptide conformations at water-membrane interface by molecular dynamics simulations [Internet]. Journal of Computational Chemistry. 1999 ; 20( 9): 971-982.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1096-987x(19990715)20:9%3C971::aid-jcc8%3E3.0.co;2-0
Vancouver
Pascutti PG, Mundim KC, Ito AS, Bisch PM. Polarization effects on peptide conformations at water-membrane interface by molecular dynamics simulations [Internet]. Journal of Computational Chemistry. 1999 ; 20( 9): 971-982.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1096-987x(19990715)20:9%3C971::aid-jcc8%3E3.0.co;2-0
Artigo de periodico
Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 4, p. 1843-1847, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.370977. Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride. Journal of Applied Physics, 86( 4), 1843-1847. doi:10.1063/1.370977
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Hydrogen role on the properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ; 86( 4): 1843-1847.[citado 2024 maio 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.370977

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